| 龍璽精密-ALD原子層沉積設(shè)備-可非標定制 |
原子層沉積技術(shù)以精準控制薄層厚度，均勻性，保型性而著稱，廣泛應用于集成電路(IC)行業(yè)，它使得電子器件持續(xù)微型化成為可能，逐漸成為了微電子器件制造，半導體領(lǐng)域的必要技術(shù)。例如用于制備品體管柵堆垛、刻蝕終止層。
緊湊型原子層沉積系統(tǒng)，系統(tǒng)為全自動的安全互鎖設(shè)計，并提供了強大的靈活性，可以用于沉積多種薄膜。(可沉積氧的化物: HfO2，AI203,TiO2,Si02ZnO, Ta20等;氮化物:TiN,Si3N4等;)。
應用領(lǐng)域包含半導體、光伏、MEMS等。帶有加熱腔壁及屏蔽層，非常方便腔體的清潔。該系統(tǒng)擁有一個載氣艙包含4個50ml的加熱源，用于前驅(qū)體以及反應物，同時帶有N2作為運載氣體的快脈沖加熱傳輸閥。
ALD原子層沉積設(shè)備特點：
·不均勻性低于1%；
·陽極氧化鋁腔體；
·小反應腔體容積確保快速的循環(huán)時間并提高質(zhì)量；
·最大可支持4英寸的基片；
·最多支持4路50cc/100cc前驅(qū)體源；
·高深寬比結(jié)構(gòu)的保形生長； 
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