| 國際巨頭簽訂長約，全球爭奪戰持續[] |
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近日，日本昭和電工宣布與半導體制造商羅姆簽訂長期供應合同，根據協議，昭和電工將為制造碳化硅（SiC）功率半導體的羅姆供應SiC外延片。新聞稿指出，此長期合同將進一步加強昭和電工和羅姆之間在提高SiC外延片質量方面的技術合作。
資料顯示，昭和電工的SiC外延片于2009年投放市場，昭和電工預計，通過簽訂長期合同，其SiC外延片業務將在SiC功率器件市場進一步增長。
2025年SiC功率市場規模達33.9億美元
SiC襯底是新近發展的寬禁帶半導體的核心材料，主要應用于以5G通信、國防軍工、航空航天為代表的射頻領域和以新能源汽車、“新基建”為代表的電力電子領域，具體應用領域包括電動汽車/充電樁、光伏新能源、軌道交通、智能電網等。
憑借其高電壓、大電流、高溫、高頻率、低損耗等獨特優勢，近年來，SiC半導體產業市場快速發展并已迎來爆發期。
據TrendForce集邦咨詢調查，全球SiC功率市場規模至2025年將達33.9億美元，年復合成長率達38%，其中前三大應用占比將分別為新能源車61%、光伏及儲能13%、充電樁9%，新能源車產業中又以主驅逆變器、車載充電機（OBC）、直流變壓器（DC-DC）為應用大宗。
當前，SiC材料主要集中在美國科銳及貳陸、日本羅姆及歐洲意法半導體等廠商手中。
根據公開信息，國際主要SiC晶片生產企業已實現6英寸晶片規模化供應，其中科銳、貳陸在SiC晶片制造產業中擁有尺寸的代際優勢，已成功研制并投資建設8英寸晶片產線。此外，今年7月27日，意法半導體也宣布，制造出首批8英寸SiC晶圓片。
國際大廠SiC爭奪戰持續
隨著近年來全球對以SiC晶片為襯底的器件需求持續增長，各大國際廠商紛紛通過加強合作和產能擴張計劃開啟SiC爭奪戰。
客戶合作方面，昭和電工除了此次與羅姆簽訂長期供應合同外，今年5月，該公司還與英飛凌科簽訂了供應契約，供應包括磊晶在內的各種SiC材料。根據雙方公布的信息，英飛凌和昭和電工的合同期限為兩年，并可選擇延期。
此外，科銳于今年8月宣布與意法半導體（ST）擴大現有的多年長期SiC晶圓供應協議。根據新的供應協議，科銳在未來幾年將向意法半導體提供150毫米SiC裸片和外延片。
擴產方面，昭和電工8月23日宣布，將籌措約1100億日元資金，其中約700億日元將用于擴增SiC晶圓、研磨液(CMPSlurry)等半導體材料產能。
羅姆則計劃在今后5年內投資600億日元，將使用于EV的SiC功率半導體產能擴增至現行的5倍。
此外，科銳早在2019年就宣布了擴產計劃，計劃投資10億美元擴產30倍，以滿足未來市場需求。最新消息是，科銳首席執行官GreggLowe已經確認，作為10億美元擴大SiC產能計劃的一部分，科銳位于紐約州馬西鎮的SiC晶圓廠有望在2022年初投產，該廠于2019年開始建設，為“世界上最大”的SiC晶圓廠，將聚焦車規級產品。 |
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