| 三星、臺積電3納米架構(gòu)大不同 誰具有市場優(yōu)勢？ |
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三星與臺積電在先進制程的大戰(zhàn)，進入3納米之后也變得更多元，主要在于兩家公司切入3納米的技術(shù)架構(gòu)大不同。三星押注環(huán)繞閘極（GAA）架構(gòu)，并宣稱其在GAA研發(fā)進度領(lǐng)先臺積電；臺積電則延續(xù)先前采用的鰭式場效晶體管（FinFET）架構(gòu)，最快2納米才評估導(dǎo)入GAA架構(gòu)。
對于三星發(fā)展先進制程態(tài)度積極，臺積電一向不回應(yīng)競爭對手動態(tài)。業(yè)界認為，臺積電明年3納米量產(chǎn)計劃仍順利，且有信心更獲得客戶支持，也是在客戶的選擇之下，維持3納米FinFET架構(gòu)設(shè)計，非常具有優(yōu)勢。
臺積電業(yè)務(wù)開發(fā)副總張曉強日前在技術(shù)論壇上透露，臺積電認為繼續(xù)采用FinFET架構(gòu)開發(fā)3納米制程，是能幫助客戶取得成功的最佳方案。臺積電預(yù)期，其3納米效能可較5納米提升10%至15%，功耗減少25%至30%，邏輯密度增加1.7倍，SRAM密度提升1.2倍、類比密度則提升1.1倍等。目標3納米量產(chǎn)第一年，客戶產(chǎn)品量能達到5納米兩倍以上，廣泛應(yīng)用于智能機與高速運算（HPC）平臺。
三星、臺積電分別采用不同架構(gòu)設(shè)計的3納米制程，將在2022年實際對決。三星采用GAA架構(gòu)之外，目前三星也開發(fā)3納米乃至2納米所需的第二代技術(shù)：多橋通道場效應(yīng)晶體管（MBCFET），三星聲稱相關(guān)技術(shù)能使芯片效能較7納米時提高35%、面積減少45%，功耗降低五成，而相關(guān)技術(shù)的實際量產(chǎn)情況尚須持續(xù)追蹤。
臺積電已確定使用FinFET架構(gòu)提供客戶3納米制程產(chǎn)能，臺積電日前法說會上也宣示，相近該架構(gòu)將能提供客戶最成熟的技術(shù)、最好的效能及最佳的成本，并按照計劃開發(fā)且進度良好，相較于5納米及7納米的類似時期，也持續(xù)觀察到3納米在高效能運算及智慧手機應(yīng)用都有較多客戶投入。
另據(jù)了解，由于先進制程開發(fā)所費不貲，在綜合各方面指標后，不僅只有英特爾、蘋果用得起，來自歐洲領(lǐng)先的人工智能（AI）芯片大廠Graphcore也已經(jīng)談妥3納米長期合作計劃。
Graphcore是臺積電3納米早期合作伙伴之一，這家來自英國的AI芯片業(yè)者，多次被外國媒體點評為有機會超過輝達的新創(chuàng)公司，并獲得2019年、2020年「最酷的獨角獸公司」殊榮，先前在臺積電技術(shù)論壇上，雙方也已鄭重介紹未來合作藍圖。 |
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