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晶能成功制備硅襯底紅光Mro LED，全彩化關(guān)鍵突破 來源: | 發(fā)布時間:1632112749 | 瀏覽次數(shù)： 日前，晶能光電成功制備了紅、綠、藍三基色硅襯底GaN基MicroLED陣列，在MicroLED全彩芯片開發(fā)上前進了關(guān)鍵一步。 　　 　　微米尺寸的MicroLED制備已經(jīng)脫離了普通LED工藝而進入了IC制程。大尺寸硅襯底GaN晶圓具有低成本、兼容IC制程、易于襯底剝離等核心優(yōu)勢，已成為MicroLED制備的主流技術(shù)路線。在國際上，Aledia、Plessey、ALLOS、STRATACACHE等公司都在專注于硅襯底MicroLED開發(fā)。主要消費電子產(chǎn)業(yè)巨頭更是在這一領(lǐng)域投入大量資源，以期在AR、VR等可穿戴設(shè)備的巨大市場中拔得頭籌。 　　 　　MicroLED走向大規(guī)模應(yīng)用要求高良率和高光效的紅綠藍三基色MicroLED芯片。目前綠光和藍光的GaN材料體系已經(jīng)成熟，并滿足MicroLED制程開發(fā)的要求。但對于紅光MicroLED，傳統(tǒng)的紅光AlInGaP體系因為其材料較脆和側(cè)壁上非輻射復(fù)合嚴(yán)重，面臨著良率和光效兩方面的重大技術(shù)瓶頸。所以，開發(fā)InGaN基紅光LED，特別是大尺寸硅襯底上InGaN基紅光LED被業(yè)界寄以厚望。 　　 　　晶能光電的芯片總監(jiān)黃濤介紹，本次報道的硅襯底InGaN紅、綠、藍MicroLED陣列的像素點間距為25微米，像素密度為1000PPI，在10A/cm2電流密度下的峰值波長分別為650nm、531nm、和445nm。InGaN紅光芯片的外量子效率（36mil，650nm峰值波長）為3.5%，EL的半高寬為70nm。晶能光電這一成果發(fā)布，標(biāo)志其成為國內(nèi)首家實現(xiàn)硅襯底GaN基三基色MicroLED的生產(chǎn)企業(yè)。 　　 　　晶能光電外延副總裁付羿表示，晶能光電是全球最大的硅襯底GaN基LED生產(chǎn)企業(yè)，十余年來持續(xù)引進人才以保證硅襯底GaN產(chǎn)業(yè)技術(shù)升級迭代。目前晶能光電的硅襯底GaN基LED產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋了從365nm到660nm的可見光范圍，并且實現(xiàn)了優(yōu)秀的量產(chǎn)良率、波長集中度、光效、和可靠性。2018年，晶能光電開始硅襯底MicroLED開發(fā)。付羿表示，晶能非常重視硅襯底GaN基MicroLED在AR/VR產(chǎn)業(yè)上的巨大應(yīng)用前景，但必須要持續(xù)努力去解決諸如InGaN紅光光效、發(fā)光半高寬、和最終的全彩化方案等關(guān)鍵問題，而且需要整個產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同，才能實現(xiàn)MicroLED顯示技術(shù)的規(guī)模應(yīng)用。

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