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中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)強(qiáng)化布局EUV技術(shù),引發(fā)
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相較韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最早開(kāi)始采用EUV光刻技術(shù),相關(guān)產(chǎn)業(yè)存儲(chǔ)器與晶圓代工時(shí)程相對(duì)落后。但韓國(guó)媒體《BusinessKorea》報(bào)導(dǎo),近期中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)半導(dǎo)體企業(yè)加緊投資EUV光刻技術(shù),進(jìn)一步擴(kuò)大競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
  
  目前投資中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)最大外商的美商存儲(chǔ)器大廠美光科技,除決定今年底美國(guó)總部安裝ASML最新曝光設(shè)備NXE:3600D,美光還計(jì)劃在臺(tái)中DRAM工廠安裝相同EUV光刻設(shè)備。代表美光科技將在中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)生產(chǎn)第一顆EUV技術(shù)DRAM,并持續(xù)增加投資。
  
  除了美光科技積極部署EUV光刻技術(shù),全球DRAM產(chǎn)業(yè)排名第四大的南亞科技也于4月宣布,投資3000億元新臺(tái)幣在新北市興建含EUV光刻設(shè)備的DRAM產(chǎn)線,預(yù)計(jì)2024年量產(chǎn)營(yíng)運(yùn)。
  
  晶圓代工龍頭臺(tái)積電的EUV光刻設(shè)備產(chǎn)業(yè)影響力也有增加。今年第二季起,采用EUV光刻設(shè)備的7納米及更先進(jìn)制程技術(shù)占公司總營(yíng)收49%,正從曝光設(shè)備廠商ASML采購(gòu)更多EUV光刻設(shè)備,增加研發(fā)投入。包括臺(tái)積電自行生產(chǎn)EUV光罩,以提升良率和制程效率。
  
  韓國(guó)三星是全球首家采用EUV光刻技術(shù)的半導(dǎo)體企業(yè),并在2019年首次量產(chǎn),如今大規(guī)模發(fā)展EUV技術(shù)的還加上美光科技、臺(tái)積電等中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)半導(dǎo)體企業(yè)。韓國(guó)市場(chǎng)專家指出,基礎(chǔ)設(shè)施持續(xù)擴(kuò)張,預(yù)計(jì)為中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)更強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
 
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