| 臺(tái)媒：芯片制造商擬提高QL NND產(chǎn)量[] |
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據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露，由于個(gè)人電腦（PC）和數(shù)據(jù)中心的需求強(qiáng)勁，全球主要的NAND閃存供應(yīng)商準(zhǔn)備在今年年底至2022年之間提高QLCNAND產(chǎn)量。
digitimes報(bào)道指出，消息人士稱，隨著OEM越來越多地在其產(chǎn)品中采用QLCSSD，芯片供應(yīng)商將增加用于PC的QLCNAND產(chǎn)量。與此同時(shí)，數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的QLCNAND需求前景廣闊，這也鼓勵(lì)了主要芯片供應(yīng)商加強(qiáng)在該領(lǐng)域的部署。
從各大廠商的動(dòng)作來看，英特爾已經(jīng)推出了面向企業(yè)存儲(chǔ)應(yīng)用的144層QLC固態(tài)硬盤系列產(chǎn)品，并于今年上半年開始面向數(shù)據(jù)中心應(yīng)用出貨。英特爾采用浮柵技術(shù)制造的QLCNAND依然是該領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者。
美光已將其176層TLCNAND的生產(chǎn)良率提高到相當(dāng)可觀的水平，同時(shí)計(jì)劃在今年年底推出176層QLCNAND。
三星電子已進(jìn)入176層V-NAND的客戶驗(yàn)證階段，并已啟動(dòng)200層以上3DNAND的開發(fā)。另外，鎧俠和西部數(shù)據(jù)也將在2022年開始量產(chǎn)QLCNAND。 |
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