| 應用材料公司新技術助力碳化硅芯片制造商加速 |
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·作為全球最佳電動車動力系統的核心器件，碳化硅芯片正向更大的200毫米晶圓轉型，通過加速產出以滿足全球日益增長的需求·應用材料公司全新的200毫米化學機械平坦化（CMP）系統能夠從晶圓上精確去除碳化硅材料，從而最大程度提升芯片性能、可靠性和良率·應用材料公司全新的碳化硅芯片“熱注入”技術在注入離子的同時，能夠把對晶體結構的破壞降到最低，從而最大程度提升發電量和器件良率
2021年9月8日，加利福尼亞州圣克拉拉——應用材料公司今日宣布推出多項全新產品以幫助世界領先的碳化硅(以下簡稱SiC)芯片制造商從150毫米晶圓量產轉向200毫米晶圓量產，使每個晶圓的芯片數產出近乎翻倍，可滿足全球對于卓越的電動車動力系統日益增長的需求。
SiC電力半導體能夠將電池電量高效轉化為扭力，從而提升車輛性能并增大里程范圍，因此需求旺盛。SiC的固有特性使其比硅更堅硬，但也存在自然缺陷，可能導致電性能、電源效率、可靠性和良率的降低。因此需要通過先進的材料工程來對未經加工的晶圓進行優化方可量產，并在保證盡可能減少晶格破壞的前提下構建電路。
應用材料公司集團副總裁、ICAPS事業部總經理SundarRamamurthy表示：“為了助力計算機革新，芯片制造商轉而將希望寄托于不斷擴大晶圓尺寸，通過顯著增加芯片產出來滿足增長迅速的全球需求?，F如今，又一波革新初露端倪，這些革新將受益于應用材料公司在工業規模下材料工程領域的專業知識。”
Cree公司總裁兼CEOGreggLowe表示：“交通運輸業的電氣化勢頭迅猛，借助Wolfspeed技術，我們將能夠藉此拐點領導全球加速從硅向碳化硅轉型。通過在更大的200毫米晶圓上交付最高性能的碳化硅電源器件，我們得以提升終端客戶價值，滿足日趨增長的需求。”
Lowe還說道：“應用材料公司的支持將有助于加速我們在奧爾巴尼的200毫米工藝制程的技術驗證，我們的莫霍克谷晶圓廠的多項設備安裝也在緊鑼密鼓進行中，兩者助力之下，轉型進展迅速。不僅如此，應用材料公司的ICAPS團隊眼下正在開發熱注入等多項新技術，拓寬并深化了我們之間的技術協作，使我們的電力技術路線圖得以快速發展?！?BR>
全新200毫米SiCCMP系統
SiC晶圓表面質量對于SiC器件制造至關重要，因為晶圓表面的任何缺陷都將傳遞至后續各層次。為了量產具有最高質量表面的均勻晶圓，應用材料公司開發了Mirra®Durum™CMP*系統，此系統將拋光、材料去除測量、清洗和干燥整合到同一個系統內。這一新系統生產的成品晶圓表面粗糙度僅為機械減薄SiC晶圓的五十分之一，是批式CMP工藝系統的粗糙度的三分之一。
為助力行業向200毫米大尺寸晶圓轉型，應用材料公司發布了全新的Mirra®Durum™CMP系統，
它集成拋光、材料去除測量、清洗和干燥于一身，可量產具有極高質量表面的均勻晶圓
熱注入提升SiC芯片性能和電源效率
在SiC芯片制造期間，離子注入在材料內加入摻雜劑，以幫助支持并引導大電流電路內的電流流動。由于SiC材料的密度和硬度，要進行摻雜劑的注入、精確布局和活化的難度非常之大，同時還要最大程度降低對晶格的破壞，避免性能和電源效率的降低。應用材料公司通過其全新的VIISta®9003D熱離子注入系統為150毫米和200毫米SiC晶圓破解了這一難題。這項熱注入技術在注入離子的同時，能夠將對晶格結構的破壞降到最低，產生的電阻率僅為室溫下注入的四十分之一。
應用材料公司全新VIISta®9003D熱離子注入系統可向200毫米和150毫米碳化硅晶圓注入和擴散離子，
產生的電阻率僅為室溫下注入的四十分之一 |
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