| 三星電子宣布將盡早把3nm G技術商業化[] |
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三星電子設備解決方案（DS）業務部門的首席技術官JeongEunseung日前在線上“三星電子技術職業論壇”上宣布，該公司將盡早將3nmGAA技術商業化。
據韓媒businesskorea報道，JeongEunseung表示：“我們正在開發領先于主要競爭對手臺積電的GAA技術，一旦攻克這項技術，我們的晶圓代工事業將進一步發展。”
據悉，GAA技術被認為是3nm制程的關鍵，該工藝將被全球頂級晶圓代工公司采用。GAA技術的關鍵之處在于改變晶體管結構，將之由鰭式場效電晶體（FinFET）的3D轉為GAA的4D。
三星電子透露，2019年在客戶中進行的3nmGAA工藝設計測試結果顯示，GAA技術將芯片面積減少了45%，功率效率提高了50%。
行業分析師指出，誰先將首先將GAA技術商業化，還有待進一步觀察。這是因為臺積電在早期也積極將該技術商業化。2011年至2020年間，全球31.4%的GAA專利來自臺積電，三星電子的GAA專利占20.6%。
三星電子表示，其在技術上與臺積電并駕齊驅。JeongEunseung指出，三星的晶圓代工事業2017年才開始，不過我們將憑借在存儲芯片領域的技術根基，超越臺積電。他舉例三星曾在臺積電之前，就開發了一款搭載FinFET技術的14MHz產品。 |
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